Компания Samsung объявила, что успешно начала процесс производства своих первых чипов с архитектурой 3 нанометра (3 нм), которые, по прогнозам, станут передовыми потребительскими вычислительными мощностями в 2023 году. Производитель уже утверждает, что его 3-нм кремний первого поколения способен обеспечить производительность, более чем на 20% улучшенную по сравнению с его 5-нм предшественником, при этом энергоэффективность увеличилась на ~ 50%.
Samsung наконец-то сделала шаг к официальному выпуску 3-нм, заявив, что успешно выпустила первые пластины для чипов с этой архитектурой следующего поколения в кампусе своего подразделения электроники в Хвасоне в Южной Корее. 3-нм широко рекламируется как естественное обновление до новейших процессоров, таких как Apple A15 Bionic или Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1.
Прорыв Samsung выводит его вперед в гонке за полномасштабное массовое производство 3-нм, опережая своего конкурента TSMC. Производитель теперь также подтвердил, что это будет сделано на основе его собственного MBCFET, запатентованной версии универсального полевого транзистора (GAAFET).
Несмотря на эти потенциальные преимущества, OEM-производитель признаёт, что обновление до 3 нм может сделать окончательный дизайн и интеграцию чипов еще более сложными для его потенциальных клиентов.
С этой целью компания внедрила Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE), инфраструктурное решение, разработанное совместно с такими партнерами, как Synopsys, Siemens, Cadence и Ansys, чтобы сделать окончательные шаги по выводу на рынок будущих 3-нм устройств.
