24 сентября 1946 года в Улан-Удэ родился академик Александр Леонидович Асеев. Он вырос в семье потомственных железнодорожников, а в 1968 году окончил физический факультет Новосибирского государственного университета. После распределения в Институт физики полупроводников АН СССР Асеев прошел здесь путь от стажера-исследователя до директора и продолжает работать в родном институте главным научным сотрудником, совмещая эту должность с работой в НГУ.
Асеев относится к представителям Лаврентьевской школы подготовки научных кадров. Его профессиональная деятельность связана с созданием инженерного оборудования и приборов на основе полупроводников. С 1998 по 2013 год он возглавлял Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН, а с 2008 года дважды избирался председателем Сибирского отделения РАН и занимал пост вице-президента Российской академии наук.
Научные работы ученого посвящены атомному строению и электронным свойствам полупроводниковых систем, а также технологиям микроэлектроники, оптоэлектроники и наноэлектроники. В кандидатской и докторской диссертациях он исследовал образование и структурные изменения монокристаллических слоев кремния и германия на разных подложках. Такие материалы применяются в спутниковых системах, средствах безопасности, солнечной энергетике и медицине.
Руководя Сибирским отделением РАН, Асеев разработал и воплотил «Концепцию развития Сибирского отделения РАН до 2025 года». В ее основу положили практическую востребованность академических исследований для реального сектора экономики. При институтах Отделения появился Центр фундаментальных и прикладных исследований в интересах обороны и безопасности СО РАН, началось создание Национального гелиогеофизического комплекса РАН и научно-исследовательской станции «Остров Самойловский» в Якутии, были открыты новые академические институты.
Ученый также подчеркивал, что развитие высокоточного приборостроения невозможно без решения жилищного вопроса для молодых исследователей. Его заслуги отмечены медалями орденов «За заслуги перед Отечеством» I и II степени, званием почетного работника науки и техники Российской Федерации, а также статусом почетного доктора и профессора Томского, Новосибирского и Бурятского государственных университетов, Санкт-Петербургского университета РАН имени Алферова и Санкт-Петербургского физико-технического института имени Иоффе. Асеев является лауреатом Государственной премии и иностранным членом ряда зарубежных академий.
В биографии академика был и тяжелый период, связанный с давлением со стороны прежнего руководства и уголовным делом, инициированным против него. В результате Асеев юридически и частично фактически лишился жилья. Как сообщает «Московский комсомолец», после вмешательства руководства РАН и нового руководства СО РАН давление на ученого прекратилось. Александру Леонидовичу исполнилось 80 лет; ему желают новых научных и творческих успехов на благо России.