Учёные Массачусетского технологического института создали инновационный тип трёхмерных транзисторов, способных функционировать при значительно меньшем электрическом напряжении по сравнению с традиционными кремниевыми аналогами. Разработка основана на применении ультратонких полупроводниковых материалов, что открывает перспективы создания более производительной и энергоэффективной электроники будущего, сообщает MIT News.
Современные кремниевые транзисторы, являющиеся ключевым элементом большинства электронных устройств, имеют физическое ограничение по минимальному рабочему напряжению. Это явление, известное как “тирания Больцмана”, существенно ограничивает возможности повышения энергоэффективности электронных устройств, особенно в контексте развития систем искусственного интеллекта.
Новые трёхмерные транзисторы оснащены вертикальными нанопроводами шириной всего несколько нанометров. Благодаря использованию квантовых эффектов, они способны обеспечивать производительность на уровне современных кремниевых транзисторов при существенно меньшем энергопотреблении.
Компактные размеры новых транзисторов позволяют разместить их на компьютерном чипе в большем количестве. Это открывает возможности для создания более мощных и энергоэффективных электронных устройств – от смартфонов до автомобильной электроники.
Профессор Хесус дель Аламо подчеркнул, что хотя технология требует дальнейшей доработки для коммерческого применения, концептуально она представляет собой значительный прорыв в развитии электроники.
