ChangXin Memory Technologies начала серийно выпускать пятую генерацию своей платформы динамической памяти. DRAM используется устройствами и программами как кратковременное рабочее хранилище данных.
В основе процесса лежат уплотненные структуры с расстоянием 11,95 нанометра и четырехкратное формирование рисунка. Представитель CXMT Ло Сяодун назвал технологию сопоставимой с наиболее совершенными узлами массового производства.
Платформа уже применяется для двух микросхем LPDDR5X емкостью 24 гигабита, отличающихся форматом корпуса. Как уточняет Reuters, каждая способна хранить на 50% больше данных, чем соответствующее изделие прошлого поколения.
Производитель оценивает рост числа валовых кристаллов на пластине минимум в 50% относительно четвертой платформы на примере восьмигигабитной конфигурации. В этот расчет входят все кристаллы до проверки на дефекты.
Техпроцесс разрабатывался с помощью симуляций совместно с китайскими изготовителями производственного оборудования. CXMT рассчитывает соперничать на этом направлении с Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology.