Группа исследователей из Университета Тохоку и Университета Тохо разработала новую концепцию устройств магнитной памяти на основе спиральных магнитов, которая может произвести революцию в области хранения информации.
Ученые продемонстрировали, что спиральные магниты можно использовать для создания магнитных запоминающих устройств, решающих проблему перекрестных помех между магнитными битами. В спиральных магнитах направления атомарных магнитных моментов упорядочены по спирали. Правая или левая закрученность спирали, называемая хиральностью, может использоваться для хранения информации. При этом магнитные поля, создаваемые отдельными атомарными магнитными моментами, взаимно компенсируются, поэтому спиральные магниты не создают макроскопического магнитного поля.
Исследователи продемонстрировали, что память на основе хиральности может быть записана и считана при комнатной температуре. Они изготовили эпитаксиальные тонкие пленки спирального магнетика MnAu2 и показали возможность переключения хиральности с помощью импульсов электрического тока в магнитном поле. Кроме того, они создали двухслойное устройство из MnAu2 и платины и продемонстрировали, что хиральную память можно считывать как изменение сопротивления даже без магнитных полей.
По словам ученых, эта технология открывает новые возможности для создания запоминающих устройств следующего поколения с высокой плотностью, энергонезависимостью и стабильностью.
