Ученые Университета Лобачевского в Нижнем Новгороде получили патент на технологию глубокой очистки нанопорошка диоксида кремния для микроэлектроники. Исследователи также разработали метод комплексного управления характеристиками наночастиц, сообщили в вузе, передает ТАСС.
Разработка позволяет получать частицы заданных размера и формы с высокой однородностью, стабильностью и низким содержанием примесей. Эти параметры определяют возможность применения наноматериала при производстве микросхем.
Руководитель исследования, кандидат химических наук Ксения Отвагина пояснила, что метод предназначен для очистки аморфного диоксида кремния. Материал планируется использовать при химико-механической полировке полупроводниковых пластин и в других процессах, для которых необходимы абразивные наночастицы высокой чистоты.
Специалисты ННГУ имени Н. И. Лобачевского создали технологическую линию и подготовили регламент производства. Полученную устойчивую суспензию передали индустриальному партнеру для апробации. Потребность в отечественном аналоге возникла на фоне ограничений поставок зарубежных продуктов с сопоставимыми характеристиками.
Качество обработки полупроводниковых пластин зависит от размера, формы и однородности наночастиц, а эти параметры влияют на надежность и производительность электронных устройств. Ректор ННГУ Олег Трофимов сообщил, что технология прошла масштабирование и перешла к испытаниям совместно с промышленным партнером.