Агентство перспективных исследовательских проектов Министерства обороны США (DARPA) заключило трехлетний контракт с компанией Raytheon на разработку инновационных полупроводников. Эти полупроводники будут обладать сверхширокой запрещенной зоной и будут созданы на основе алмазных и алюминиево-нитридных пленок.
Новые полупроводники призваны обеспечить более высокую мощность и улучшенное управление тепловым режимом в различных электронных устройствах и датчиках. Это позволит им функционировать при повышенных температурах и в экстремальных условиях.
Контракт разделен на два этапа. На первом этапе Raytheon сосредоточится на разработке и интеграции алмазных и алюминиево-нитридных полупроводниковых пленок в электронные устройства. Второй этап будет посвящен оптимизации и доводке пластин для их применения в датчиках.
Уникальные свойства разрабатываемых полупроводников позволят создавать различные виды военной техники. Среди них — сверхкомпактные сверхмощные радиочастотные переключатели, радиочастотные усилители высокой мощности для радаров, высоковольтные переключатели для силовой электроники и лазеры.
Президент подразделения передовых технологий Raytheon Колин Уилан отметил, что данная разработка станет значительным шагом вперед и произведет революцию в полупроводниковой технологии. Он также подчеркнул, что компания Raytheon обладает обширным опытом в разработке подобных материалов, в том числе производства полупроводников с широкой запрещенной зоной на основе нитрида галлия по заказу американского военного ведомства.
В современной силовой электронике уже используются полупроводники на основе карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN). Их главное преимущество перед традиционным кремнием заключается в возможности работы с более высоким максимально допустимым напряжением. По данным ГК «Промэлектроника», для полевых транзисторов на основе GaN этот параметр составляет 650 вольт, а для SiC — 1700 вольт.
