Российские ученые разрабатывают новую технологию для выращивания кристаллов следующего поколения, которые могут использоваться в зарядных устройствах и сотовых сетях. Эта перспективная разработка проводится студентами из Новосибирска в молодежной лаборатории Института физики полупроводников Сибирского отделения РАН.
Одной из ключевых целей исследования является использование нитрида галлия, который играет важную роль в силовой электронике и СВЧ-электронике, применяемой в системах связи 5G и 6G, а также в высоковольтных источниках питания и носимой электронике.
В ходе экспериментов прошлого года ученым удалось осуществить первые этапы создания нитрида галлия на кремниевых подложках, а в настоящее время они занимаются разработкой буферных слоев, которые являются основой для кристаллов. В ближайшей перспективе исследователи планируют приступить к отработке верхних слоев структур, через которые будет протекать высокоплотностный ток.
Однако создание таких структур на кремниевых подложках представляет определенные сложности из-за различий в характеристиках материалов. Ученым приходится сталкиваться с проблемами выращивания высококачественных кристаллов нитрида галлия на кремниевых подложках, так как их структурные свойства и параметры расширения при изменении температуры значительно отличаются.
За короткий период работы лаборатории исследователям удалось успешно справиться с начальными этапами создания структур, и они в настоящее время готовят научные публикации, которые будут представлены в ведущих научных журналах. Впереди ученых ожидают новые сложные задачи, включая отработку верхних слоев структур, необходимых для создания транзисторов, способных передавать высокоплотностный ток.
